基础半导体器件领域的安世高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。这些产品均采用创新型铜夹片CCPAK1212封装，半导具有业内领先的体C提升功率密度和优越性能。
创新型铜夹片设计能够承载高电流、封装寄生电感更低且热性能出色，再次因此这些器件非常适合电机控制、功率电源、安世可再生能源系统和其他耗电应用。半导该系列还包括专为AI服务器热插拔功能设计的体C提升特定应用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封装的封装MOSFET提供顶部和底部散热选项，可实现高功率密度和可靠的再次解决方案。所有器件封装均已在JEDEC注册，功率并配备Nexperia交互式数据手册，安世便于无缝集成。半导
标杆器件PSMN1R0-100ASF是体C提升一款0.99 mΩ 100 V功率MOSFET，能够承载460 A电流并达到1.55 KW耗散功率，采用CCPAK1212封装，仅占用12mm×12mm的电路板空间。PSMN1R0-100CSF的顶部散热版本也具备类似的性能。
优越的性能表现与器件的内部结构紧密相关。CCPAK1212中的“CC”代表铜夹片(Copper Clip)，这意味着功率MOSFET的晶圆夹在两片铜片之间，一侧是漏极散热片，另一侧是源极夹片。优化后的设计无需引线键合，进而可降低导通电阻和寄生电感，提高最大额定电流并改进热性能。
CCPAK1212 NextPower 80/100 V MOSFET适合侧重于高效率和高可靠性的耗电工业应用，包括无刷直流(BLDC)电机控制、开关电源(SMPS)、电池管理系统(BMS)和可再生能源存储。这类单个大功率封装的MOSFET可减少并联需求、简化设计，并提供更紧凑、更具成本效益的解决方案。
Nexperia此次推出的CCPAK1212系列中，还包括一些为特定应用而设计开发的新型MOSFET (ASFET)，主要用于为日益增强的AI服务器实现热插拔操作。这些器件的安全工作区(SOA)经过强化，可在线性模式转换期间提供出色的热稳定性。
本系列器件提供顶部和底部散热选项，让相关应用的工程师可以灵活选择散热途径，尤其适用于因为某些热敏感器件限制而无法直接通过PCB进行散热的设计。
Nexperia产品部总经理Chris Boyce表示：
尽管我们拥有市场领先的性能，但我们知道，一些客户对于采用相对较新的封装进行设计时仍犹豫不决。为此，我们已经向JEDEC标准组织注册了CCPAK1212，参考编号为MO-359。早些年推出第一款LFPAK MOSFET封装时，我们就采用了类似的方法，因此现在市场上有许多兼容的器件。当创新能够为客户创造真正的价值时，市场很快就会给予响应。
所有新款CCPAK1212 MOSFET器件均享受一系列先进的设计工具支持，包括热补偿仿真模型。Nexperia还将传统的PDF数据手册升级成了用户友好型交互式数据手册，其中新增了一项“图形转csv”功能，使工程师能够下载、分析和解释每个器件关键特性背后的数据。这不仅简化了设计流程，而且增强了对设计选择的信心。
Nexperia计划将CCPAK1212封装应用到所有电压范围的功率MOSFET及其符合车规级AEC-Q101标准的产品组合，以实现超高电流和出色热性能，满足下一代系统不断变化的需求。
Nexperia (安世半导体)
Nexperia（安世半导体）总部位于荷兰，是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的全球性半导体公司，目前在欧洲、亚洲和美国共有14,000多名员工。作为基础半导体器件开发和生产的领跑者，Nexperia（安世半导体）的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域，几乎为世界上所有电子设计的基本功能提供支持。
Nexperia（安世半导体）为全球客户提供服务，每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面成为行业基准，获得广泛认可。Nexperia（安世半导体）拥有丰富的IP产品组合和持续扩充的产品范围，并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001标准认证，充分体现了公司对于创新、高效、可持续发展和满足行业严苛要求的坚定承诺。
